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DRAM狂杀南亚科华亚科受重伤dd-【新闻】

发布时间:2021-04-08 19:49:35 阅读: 来源:锂电池厂家

DRAM狂杀 南亚科华亚科受重伤

OFweek电子工程网讯:个人电脑及智能手机市场仍在去化过多库存,但包括三星、SK海力士、美光等三大厂的20纳米DRAM,却已开始进入全面量产投片阶段。由於20纳米可切割的裸晶(gross die)数量较30纳米大增80~100%,DRAM市场供给过剩问题已日趋恶化,不仅价格续跌看不见底,也直接冲击DRAM厂导致获利大缩水。 法人指出,DRAM市场供给过剩,标准型及利基型DRAM价格同样跌跌不休,预估南亚科(2408)、华亚科(3474)、华邦电(2344)等DRAM厂第2季获利恐将较第1季缩水2成左右。以第3季DRAM价格续创新低的情况来看,DRAM厂获利恐将较第2季再缩水3成以上,第4季还会更低。 今年上半年PC市场需求疲弱,虽然上游DRAM厂没有增加任何新产能,还因为进行20纳米微缩,导致产能出现自然减损,但DRAM市场仍处於供给过剩情况,DRAM现货价及合约价同步走跌。7月以来PC市场需求毫无起色,加上OEM厂及模组厂手中库存已拉高到2~3个月新高,上游20纳米DRAM新产能持续开出,DRAM价格不仅看不到止跌迹象,跌势还有扩大迹象。 今年以来4Gb DDR3现货价格走势 南亚科及华亚科季度营收表现 根据集邦科技报价,4Gb DDR3今年初现货均价约3.7美元,6月底跌到2.6美元,7月至今已跌到2.4美元,等於今年内价格跌幅达35%。合约价部份,今年初约3.6美元,至6月底已跌至2.7美元,7月合约价虽然仍在协商,但OEM厂手中库存水位过高,模组厂预估将一举跌破2.5美元价位。 模组业者表示,下半年PC市场虽有英特尔Skylake处理器及微软Windows 10推出,但Windows 10采取直接升级,初期很难大规模刺激换机需求,但供给面来看,下半年正好是三大DRAM厂加快20纳米微缩的时间点,由於20纳米每片晶圆产出的裸晶数量,较25纳米增加30~50%,较30纳米增加80~100%,随着20纳米投片比重持续拉高,供给量只会愈来愈多,DRAM供给过剩情况明显恶化,价格跌势加快,而且看不见底部。 标准型DRAM价格跌不停,利基型及行动型DRAM自然受到拖累,今年上半年价格已跌逾2成,7月以来价格亦下滑逾5%。受到DRAM价格持续下跌影响,DRAM厂第2季获利明显缩水,下半年营收及获利看来也会逐季且大幅下滑。 南亚科及华亚科28日将召开法说会,目前不评论法人预估财务数字。惟法人预估,华亚科第2季营收季减12.0%达162.44亿元,单季获利低於60亿元,上半年每股净利不到2元,第3季每股净利可能下探0.5元。南亚科第2季营收季减7.2%达111.56亿元,单季获利恐仅50亿元左右,第3季看来会低於40亿元。

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